Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 44

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ100N03MSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
72.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ100N06LS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ100N06NSATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 36Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC Код производителяBSZ105N04NSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
149.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ110N06NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ110N08NS5ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
280.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ123N08NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 66Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ12DN20NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
267.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ130N03LSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ130N03MSGATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
94.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ150N10LS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ150N10LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ160N10NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
236.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ16DN25NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ22DN20NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
216.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ240N12NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ240N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 37А; 66Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ340N08NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ42DN25NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
260.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ440N10NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
168.37 
Доступность: 5867 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ520N15NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
289.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ900N15NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.48 
Доступность: 3006 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж