Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 60

Производитель
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT330N02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
65.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT330N02M, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT330N03M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT330N03M, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT330N03N Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
61.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT330N03N, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
50.46 
Доступность: 12310 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT330N06D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 80А; 27,8Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT400N06N Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
47.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT400N06N, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
27.52 
Доступность: 7668 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT420N03M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT500N02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
19.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT500N02M, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 348.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 859.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 472.48 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 489.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 941.90 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 371.56 
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 051.99 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 575.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 537.46 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 461.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323
9.94 
Доступность: 6050 шт.
 

Минимальное количество для товара "CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323; ESD" 25.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT883L МонтажSMD Напряжение сток-исток20В Обозначение производителяCEDM7001 TR PBFREE
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CEDM7001 TR PBFREE, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; 0,1Вт; SOT883L" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж