Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 66

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяDI004N06PWK КорпусQFN2X2
117.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,7нC Код производителяDI005N03PW-AQ КорпусQFN2X2
65.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005N03PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 40А; 0,7Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяDI006N06PW-AQ КорпусQFN2X2
121.60 
Доступность: 4256 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяDI006N06PW КорпусQFN2X2
136.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяDI008N09SQ КорпусSO8
160.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI008N09SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 8А; Idm: 23А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяDI010N03PW-AQ КорпусQFN2X2
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI010N03PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; Idm: 50А; 1,4Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяDI010N03PW КорпусQFN2X2
83.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI010N03PW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; Idm: 50А; 1,4Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC Код производителяDI015N25D1 КорпусDPAK, TO252AA
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI015N25D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,6А; Idm: 60А; 140Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяDI017N06PQ-AQ КорпусQFN5x6
142.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI017N06PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; Idm: 50А; 21Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяDI017N06PQ КорпусQFN5x6
153.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI017N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; Idm: 50А; 21Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяDI017N10D1 КорпусDPAK
147.11 
Доступность: 2475 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI017N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; Idm: 60А; 79Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяDI018N65D1 КорпусDPAK, TO252AA
448.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI018N65D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,5А; Idm: 54А; 142Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяDI020N06D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
135.20 
Доступность: 2484 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI020N06D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 50А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,3нC Код производителяDI020N06D1 КорпусDPAK, TO252AA
112.24 
Доступность: 468 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI020N06D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 60А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяDI022N20PQ-AQ КорпусQFN5x6
505.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022N20PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13А; Idm: 80А; 60Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяDI022N20PQ КорпусQFN5x6
717.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022N20PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13А; Idm: 80А; 60Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяDI025N06PT-AQ КорпусQFN3X3
78.23 
Доступность: 4788 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI025N06PT-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 15А; Idm: 80А; 25Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяDI025N06PT КорпусQFN3X3
30.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI025N06PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 15А; Idm: 80А; 25Вт; QFN3X3" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяDI025N20PQ КорпусQFN5x6
355.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI025N20PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 20А; Idm: 100А; 135Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяDI025N25PQ КорпусQFN5x6
1 175.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI025N25PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 17,5А; Idm: 100А; 140Вт; QFN5x6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж