Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 98

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R660CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
230.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R950CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
281.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R950CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
165.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А
0.0
IPD70N10S3L12ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
219.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 2500.

IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R1K4CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
169.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R1K4P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
94.31 ₽
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R360P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
204.34 ₽
Доступность: 1377 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD70R900P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
95.06 ₽
Доступность: 2464 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD78CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
110.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD80R1K0CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
108.53 ₽
Доступность: 2399 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
220.81 ₽
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD80R1K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
281.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
196.11 ₽
Доступность: 2448 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
521.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
195.36 ₽
Доступность: 1460 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
185.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
436.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
166.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
160.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж