Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 91

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
867.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
678.14 
Доступность: 999 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
705.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
818.11 
Доступность: 791 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
966.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
406.44 
Доступность: 624 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
536.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
625.75 
Доступность: 807 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
989.52 
Доступность: 1022 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
434.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
690.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
365.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
650.45 
Доступность: 978 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
587.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
428.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
973.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
258.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
675.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
381.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
351.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж