Товары из категории транзисторы с каналом n tht - страница 51

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора8,3нC КорпусTO220FP
97.09 
Доступность: 165 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPAN70R750P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора36нC КорпусTO220FP
753.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R280P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
499.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
701.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
412.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
825.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
354.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI032N06N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
215.60 
Доступность: 234 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
1 041.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI041N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
731.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI045N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
993.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI075N15N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
678.13 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI076N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
364.68 
Доступность: 126 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
977.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI111N15N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
535.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI120N04S402AKSA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 120А; 158Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
227.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI147N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
235.47 
Доступность: 461 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI180N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
1 226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI200N25N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 88А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
423.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI320N20N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж