Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD - 1960

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AON1605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,55А; 550мВт; DFN3
0.0
AON1605
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,75нC КорпусDFN3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON1605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,55А; 550мВт; DFN3" 1.

AON2403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; 1,8Вт; DFN6
0.0
AON2403
Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,7нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON2403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 1.

AON2405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1,8Вт; DFN6
0.0
AON2405
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
5019 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON2405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 1.

AON2409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,3А; 1,8Вт; DFN6
0.0
AON2409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON2409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,3А; 1,8Вт; DFN6" 1.

AON2411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -15,5А; 3,2Вт; DFN2x2C; ESD
0.0
AON2411
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора20нC КорпусDFN2x2C МонтажSMD
5682 ₽
Доступность: 2537 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AON2411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -15,5А; 3,2Вт; DFN2x2C; ESD" 1.

AON3419, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,8А; 2Вт; DFN8
0.0
AON3419
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON3419, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,8А; 2Вт; DFN8" 1.

AON4407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; 1,6Вт; DFN8
0.0
AON4407
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON4407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; 1,6Вт; DFN8" 1.

AON4421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1,6Вт; DFN8
0.0
AON4421
Вид каналаобогащенный Заряд затвора17,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
7481 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON4421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1,6Вт; DFN8" 1.

AON4703, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,7А; 1,1Вт; DFN8
0.0
AON4703
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,1нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
7197 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON4703, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,7А; 1,1Вт; DFN8" 1.

AON6403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
0.0
AON6403
Вид каналаобогащенный Заряд затвора163нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
17330 ₽
Доступность: 2548 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AON6403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

AON6405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23А; 33Вт; DFN5x6
0.0
AON6405
Вид каналаобогащенный Заряд затвора41нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AON6405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23А; 33Вт; DFN5x6" 1.

AON6407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
0.0
AON6407
Вид каналаобогащенный Заряд затвора75нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
17708 ₽
Доступность: 626 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AON6407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

AON7407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP
0.0
AON7407
Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусDFN3x3 EP МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
14867 ₽
Доступность: 5000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AON7407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP" 1.

BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB
0.0
BSH202.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
6723 ₽
Доступность: 2890 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB" 1.

BXT350P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
BXT350P02M
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT350P02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
7292 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BXT350P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

FQT3P20TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,53А; 2,5Вт; SOT223
0.0
FQT3P20TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQT3P20TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,53А; 2,5Вт; SOT223" 1.

IRF6215STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; 110Вт; D2PAK
0.0
IRF6215STRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-150В
29830 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF6215STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; 110Вт; D2PAK" 1.

IRLML6302TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,78А; 0,54Вт; SOT23
0.0
IRLML6302TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
5871 ₽
Доступность: 71 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRLML6302TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,78А; 0,54Вт; SOT23" 1.

IXTA36P15P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -150В; -36А; 300Вт; TO263
0.0
IXTA36P15P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности228нс Заряд затвора55нC КорпусTO263
1 29640 ₽
Доступность: 75 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTA36P15P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -150В; -36А; 300Вт; TO263" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
2557 ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А
0.0
SI2333DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
15625 ₽
Доступность: 2324 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
21496 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
69981 ₽
Доступность: 479 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
14394 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара
Категории