Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.36

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RU1E002SPTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
36.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
45.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
70.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
81.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
118.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
89.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
29.25 
Доступность: 1318 шт.
+

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
31.62 
Доступность: 4630 шт.
+

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
SCH1332TLW-ONS
Обозначение производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
29.25 
Доступность: 4638 шт.
+

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
46.64 
Доступность: 955 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
63.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
94.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
95.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
90.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
89.33 
Доступность: 1836 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
88.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
44.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
89.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
66.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
83.79 
Доступность: 1850 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI2301A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
75.10 
Доступность: 1147 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
75.10 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
73.52 
Доступность: 3821 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж