Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.44

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHFR9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
153.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
241.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9310TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
164.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
249.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
72.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
152.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
96.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
104.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

0.0
SIR403EDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
81.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIR681DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
256.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А" 3000.

0.0
SIR871DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
222.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А" 3000.

0.0
SIRA01DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
236.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

0.0
SIRA99DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
422.40 
Доступность: 2435 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А" 1.

0.0
SIS407DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
193.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

0.0
SIS413DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
119.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

0.0
SIS415DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
135.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SIS427EDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
150.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

0.0
SIS429DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
83.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

0.0
SIS435DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
91.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

0.0
SIS443DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
260.80 
Доступность: 409 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SIS447DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
112.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

0.0
SIS903DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
203.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS903DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А" 1.

0.0
SISA01DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
168.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

0.0
SISA35DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
77.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж