Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 50

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
133.23 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора330нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
439.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
171.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
386.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
517.22 
Доступность: 2667 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
285.18 
Доступность: 1287 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7465DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
532.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
532.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
525.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
136.23 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
213.32 
Доступность: 2586 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
163.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
208.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
184.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
220.81 
Доступность: 3038 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
146.71 
Доступность: 878 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
266.47 
Доступность: 2836 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
213.32 
Доступность: 889 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
255.99 
Доступность: 1918 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж