Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 50

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
NTRV4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,73Вт; SOT23
0.0
NTRV4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNTRV4101PT1G КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTRV4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,73Вт; SOT23" 1.

NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNTS2101PT1G КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
60.37 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC Код производителяNTS4101PT1G КорпусSC70, SOT323
70.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
0.0
NTS4173PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC Код производителяNTS4173PT1G КорпусSC70, SOT323
59.52 ₽
Доступность: 2776 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8
0.0
NTTFS5116PLTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNTTFS5116PLTAG КорпусWDFN8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8" 1.

NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD
0.0
NTZS3151PT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNTZS3151PT1G КорпусSOT563F
69.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223
0.0
NVF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC Код производителяNVF2955T1G КорпусSOT223
232.14 ₽
Доступность: 660 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6
0.0
NVMFS5113PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNVMFS5113PLT1G КорпусDFN5x6 МонтажSMD
604.59 ₽
Доступность: 1307 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6
0.0
NVMFS5A160PLZT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNVMFS5A160PLZT1G КорпусDFN5x6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6" 1.

NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23
0.0
NVR5124PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNVR5124PLT1G КорпусSOT23 МонтажSMD
120.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8
0.0
NVTFS5116PLTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNVTFS5116PLTAG КорпусWDFN8 МонтажSMD
198.98 ₽
Доступность: 857 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23
0.0
NVTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC Код производителяNVTR0202PLT1G КорпусSOT23
70.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

NVTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23
0.0
NVTR4502PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNVTR4502PT1G КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

NX2301P,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23,TO236AB
0.0
NX2301P.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяNX2301P,215 КорпусSOT23, TO236AB
49.32 ₽
Доступность: 8828 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX2301P,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23,TO236AB" 1.

NX3008PBK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,23А; 420мВт; SOT23,TO236AB
0.0
NX3008PBK.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC Код производителяNX3008PBK,215 КорпусSOT23, TO236AB
39.97 ₽
Доступность: 5990 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,23А; 420мВт; SOT23,TO236AB" 1.

NX3008PBKS,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 80мВт
0.0
NX3008PBKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC Код производителяNX3008PBKS,115 КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
62.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKS,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 80мВт" 1.

NX3008PBKV,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,22А; 330мВт; SOT666
0.0
NX3008PBKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC Код производителяNX3008PBKV,115 КорпусSOT666
62.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKV,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,22А; 330мВт; SOT666" 1.

NX3008PBKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 260мВт; SC70,SOT323
0.0
NX3008PBKW.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC Код производителяNX3008PBKW,115 КорпусSC70, SOT323
28.91 ₽
Доступность: 18750 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 260мВт; SC70,SOT323" 1.

NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
0.0
NXV65UPR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяNXV65UPR КорпусSOT23, TO236AB
65.48 ₽
Доступность: 2072 шт.
 

Минимальное количество для товара "NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А" 1.

NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт
0.0
NXV90EPR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяNXV90EPR КорпусSOT23, TO236AB
79.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж