Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 75

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт
0.0
SI7489DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSI7489DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
596.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

SI7611DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт
0.0
SI7611DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSI7611DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7611DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А
0.0
SI7613DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSI7613DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А" 1.

SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
0.0
SI7615ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC Код производителяSI7615ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
154.76 ₽
Доступность: 1584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт
0.0
SI7615CDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC Код производителяSI7615CDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
142.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
0.0
SI7617DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяSI7617DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
242.35 ₽
Доступность: 2412 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А
0.0
SI7619DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI7619DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
185.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

SI7623DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
0.0
SI7623DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSI7623DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7623DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт
0.0
SI7625DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC Код производителяSI7625DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
236.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
0.0
SI7629DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC Код производителяSI7629DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SI7633DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А
0.0
SI7633DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяSI7633DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7633DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А" 1.

SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт
0.0
SI7655ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC Код производителяSI7655ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
250.85 ₽
Доступность: 1699 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

SI7655DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А
0.0
SI7655DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC Код производителяSI7655DN-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7655DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А" 1.

SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт
0.0
SI7949DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSI7949DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт" 1.

SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А
0.0
SI8401DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8401DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А
0.0
SI8401DB-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8401DB-T1-E3 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А
0.0
SI8409DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI8409DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А" 1.

SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А
0.0
SI8413DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI8413DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А" 1.

SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А
0.0
SI8425DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI8425DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А" 1.

SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А
0.0
SI8429DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI8429DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж