Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD

0.0

КОД:

RZM002P02T2L

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD

53⁰³ ^₽

Доступность: 6301 шт.

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET

0.0

КОД:

SCH1332TLW-ONS

Обозначение производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET

35⁰⁴ ^₽

Доступность: 4638 шт.

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 1.

SFT1342-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 15Вт; DPAK

0.0

КОД:

SFT1342-TL-W

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SFT1342-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 15Вт; DPAK" 1.

SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А

0.0

КОД:

SI1013CX-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD

72⁹² ^₽

Доступность: 2965 шт.

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD

0.0

КОД:

SI1013R-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A

71⁹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 1.

SI1013X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А

0.0

КОД:

SI1013X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC89 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1013X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А" 1.

SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт

0.0

КОД:

SI1021R-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A

112⁶⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт

0.0

КОД:

SI1025X-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563

147⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт

0.0

КОД:

SI1031R-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A

88⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 1.

SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1077X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD

85²³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

SI1079X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -1,44А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1079X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSC89 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1079X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -1,44А; Idm: -8А" 1.

SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А

0.0

КОД:

SI1317DL-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А" 1.

SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70

0.0

КОД:

SI1317DL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD

83³³ ^₽

Доступность: 1847 шт.

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD

0.0

КОД:

SI1401EDH-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70

74⁸¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1403BDL-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А

0.0

КОД:

SI1403BDL-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

SI1403BDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А

0.0

КОД:

SI1403BDL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6

0.0

КОД:

SI1403CDL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD

50¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 1.

SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6

0.0

КОД:

SI1411DH-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD

160⁰⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD

0.0

КОД:

SI1427EDH-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70

105¹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1441EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI1441EDH-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1441EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -25А" 1.

SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD

0.0

КОД:

SI1443EDH-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70

93⁷⁵ ^₽

Доступность: 3000 шт.

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1467DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1467DH-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

SI1467DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1467DH-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

SI1469DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1469DH-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.