Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI3453DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -6А

0.0

КОД:

SI3453DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3453DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -6А" 1.

SI3457CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,1А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI3457CDV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6

0.0

КОД:

SI3457CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

96⁵⁹ ^₽

Доступность: 1064 шт.

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

SI3459BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI3459BDV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI3459BDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

172³⁵ ^₽

Доступность: 504 шт.

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

SI3469DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI3469DV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

SI3469DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI3469DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

SI3473CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI3473CDV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI3473CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Доступность: 2940 шт.

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

SI3473DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI3473DDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3473DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А" 1.

SI3477DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI3477DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3477DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -40А" 1.

SI3483CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI3483CDV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -25А" 1.

SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6

0.0

КОД:

SI3483CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

73⁸⁶ ^₽

Доступность: 2179 шт.

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

SI3483DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт

0.0

КОД:

SI3483DDV-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

SI3483DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт

0.0

КОД:

SI3483DDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

SI3493BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI3493BDV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI3493BDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А

0.0

КОД:

SI3493DDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

62⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт

0.0

КОД:

SI3499DV-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

175¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт

0.0

КОД:

SI3499DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

SI3993CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI3993CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI3993CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -8А" 1.

SI4101DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,7А; Idm: -70А

0.0

КОД:

SI4101DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора203нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4101DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,7А; Idm: -70А" 1.

SI4103DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SI4103DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4103DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -80А" 1.

SI4143DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,3А; Idm: -70А

0.0

КОД:

SI4143DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4143DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,3А; Idm: -70А" 1.