Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 389

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4890DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4890DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 11А; Idm: 50А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4894BDY-T1-E3 КорпусSO8
92.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4894BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSI4896DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSI4896DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI5418DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5418DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI5424DC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5424DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А; 6,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSI5442DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5442DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 60А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSI5448DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5448DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 25А; Idm: 100А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяSI5458DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5458DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 20А; 10,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI5468DC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5468DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 30А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI5476DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5476DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 25А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSI6954ADQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSI6954ADQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI7104DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7104DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 35А; Idm: 60А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI7104DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7104DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 35А; Idm: 60А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI7106DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7106DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 19,5А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI7106DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 19,5А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI7108DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7108DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 22А; Idm: 60А; 3,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI7108DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 22А; Idm: 60А; 3,8Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж