Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 397

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSIA468DJ-T1-GE3 МонтажSMD
57.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA472EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
51.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIAA00DJ-T1-GE3 МонтажSMD
71.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSIAA02DJ-T1-GE3 МонтажSMD
50.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIAA40DJ-T1-GE3 МонтажSMD
95.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA40DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIB406EDK-T1-GE3 МонтажSMD
56.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB406EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 15А; 10Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIB422EDK-T1-GE3 МонтажSMD
47.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB422EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC Код производителяSIB452DK-T1-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
201.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB452DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSIB456DK-T1-GE3 МонтажSMD
36.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB456DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,3А; Idm: 7А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяSIB912DK-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC75
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB912DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIDR104ADP-T1-RE3 МонтажSMD
324.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIDR104AEP-T1-RE3 МонтажSMD
393.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104AEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIDR140DP-T1-GE3 МонтажSMD
303.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIDR140DP-T1-RE3 МонтажSMD
343.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSIDR170DP-T1-RE3 МонтажSMD
316.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC Код производителяSIDR220DP-T1-RE3 МонтажSMD
352.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR220DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC Код производителяSIDR390DP-T1-GE3 МонтажSMD
303.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC Код производителяSIDR392DP-T1-GE3 МонтажSMD
329.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC Код производителяSIDR392DP-T1-RE3 МонтажSMD
221.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяSIDR402DP-T1-GE3 МонтажSMD
310.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж