Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 419

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIR182DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
202.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 117А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIR182LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
226.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIR184DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR184DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 73А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяSIR186DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
138.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR186DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 57Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIR186LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
235.09 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIR188DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
160.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIR188LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSIR402DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47,5нC Код производителяSIR404DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
264.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR404DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIR410DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
126.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR410DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC Код производителяSIR414DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR414DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 53Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIR416DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
160.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR416DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIR418DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR418DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIR422DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
217.21 
Доступность: 2480 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR422DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSIR424DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
108.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR424DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 30А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSIR426DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
279.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR426DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSIR438DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
270.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIR440DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR440DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIR4602LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
97.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4602LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,1А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIR4604LDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
143.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4604LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 51А; Idm: 100А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж