Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 425

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSIRA24DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
245.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIRA28BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
109.03 
Доступность: 2777 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA28BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIRA32DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
233.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA32DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSIRA36DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
182.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIRA50ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
321.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора194нC Код производителяSIRA50DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
399.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSIRA52ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
275.13 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIRA52DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
348.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC Код производителяSIRA54DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
179.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSIRA58ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
307.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIRA58DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
170.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSIRA60DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
282.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSIRA62DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
235.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSIRA64DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
258.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSIRA72DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIRA74DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
275.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC Код производителяSIRA80DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
413.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIRA84BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
134.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIRA84DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
147.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIRA88BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
126.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж