Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 424

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIR880ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
200.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC Код производителяSIR880DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
260.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIR882ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
577.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSIR882BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
174.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIR882DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
282.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC Код производителяSIRA00DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
518.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC Код производителяSIRA02DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
277.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIRA04DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
333.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIRA06DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
247.02 
Доступность: 973 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,2нC Код производителяSIRA10BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
210.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSIRA10DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
216.35 
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIRA12BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
174.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIRA12DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
146.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSIRA14BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
92.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIRA14DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
187.39 
Доступность: 1930 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIRA18ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
120.10 
Доступность: 2574 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIRA18BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
134.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIRA18DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
177.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора186нC Код производителяSIRA20BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC Код производителяSIRA20DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
378.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж