Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.20

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDS4685
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
159.68 
Доступность: 755 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS4685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS4935A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
197.63 
Доступность: 1478 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS4935A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6375
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
142.29 
Доступность: 1037 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS6375, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6575
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
260.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDS6575, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6576
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
248.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDS6576, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6673BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
182.61 
Доступность: 2110 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6675BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSO8 МонтажSMD
145.45 
Доступность: 300 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS6675BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6679AZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусSO8 МонтажSMD
209.49 
Доступность: 275 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS6679AZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS6681Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусSO8 МонтажSMD
305.14 
Доступность: 332 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS6681Z, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS9400A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDS9400A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -10А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDS9435A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
133.60 
Доступность: 1270 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS9435A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,3А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
FDT458P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD
143.87 
Доступность: 3074 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDT458P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FDV304P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
19.76 
Доступность: 5924 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDV304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -0,46А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
FDWS9509L-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусDFN8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDWS9509L-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -65А; 107Вт; DFN8" 1.

0.0
FDY100PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT523 МонтажSMD
64.03 
Доступность: 1504 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDY100PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,35А; 0,625Вт; SOT523" 5.

0.0
FQA36P15
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора105нC КорпусTO3PN МонтажTHT
701.98 
Доступность: 561 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQA36P15, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -25,5А; 294Вт; TO3PN" 1.

0.0
FQB11P06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусD2PAK МонтажSMD
203.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB11P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,05А; Idm: -45,6А; 53Вт" 1.

0.0
FQB12P20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
368.38 
Доступность: 422 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB12P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,27А; 120Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB22P10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусD2PAK МонтажSMD
346.25 
Доступность: 3820 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB22P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB27P06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусD2PAK МонтажSMD
354.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB27P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB34P10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK МонтажSMD
464.82 
Доступность: 448 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB34P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -23,5А; 155Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB47P06TM-AM002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK МонтажSMD
540.71 
Доступность: 735 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB47P06TM-AM002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -33,2А; 160Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB8P10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусD2PAK МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQD11P06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK МонтажSMD
224.51 
Доступность: 2610 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD11P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,95А; 38Вт; DPAK" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж