Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 3

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
76.00 
Доступность: 1630 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22,2нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
85.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOI409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18А; 30Вт; TO251A" 3500.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18,6нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
141.46 
Доступность: 2626 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOI4185, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -31А; 31Вт; TO251A" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±25В
162.53 
Доступность: 3435 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOI423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO251A" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
21.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON2405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора20нC КорпусDFN2x2C МонтажSMD
42.14 
Доступность: 1925 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON2411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -15,5А; 3,2Вт; DFN2x2C; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON4421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1,6Вт; DFN8" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,1нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
57.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON4703, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,7А; 1,1Вт; DFN8" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора163нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
158.77 
Доступность: 5981 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON6403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора75нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
162.53 
Доступность: 2316 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON6407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,1мкC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
175.32 
Доступность: 2726 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON6411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -67А; 62,5Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
30.10 
Доступность: 712 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON6435, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -21,5А; 12,5Вт; DFN5x6" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусDFN3x3 EP МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
136.95 
Доступность: 424 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON7407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора70нC КорпусDFN3.3x3.3 EP МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
124.91 
Доступность: 3080 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON7423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора88нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
59.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONR21117, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 26,5А; 5Вт; DFN8" 5000.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONR21305C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
41.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONR21305C, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 5000.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONR21311C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
51.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONR21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 5000.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONS21113 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
85.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONS21113, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
27.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONS21307, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -24А; 15Вт; DFN5x6" 3000.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONS21309C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
63.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AONS21309C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж