Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 9

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяBXT900P06D
99.32 
Доступность: 2485 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT900P06D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Обозначение производителяCPH6337-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
34.61 
Доступность: 2639 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 376.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT26
120.39 
Доступность: 264 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
108.35 
Доступность: 2573 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
259.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
141.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
310.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
252.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
148.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
145.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
237.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
180.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
91.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
300.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
270.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
81.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
112.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
170.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
296.46 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
215.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж