Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.33

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MMFTP84-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
22.13 
Доступность: 4802 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
17.39 
Доступность: 2730 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
18.97 
Доступность: 2557 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
NDS0605
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.11 
Доступность: 3578 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS0605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS0610
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-60В
30.04 
Доступность: 1427 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS0610, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS332P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
83.79 
Доступность: 2655 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS332P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDS352AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
83.79 
Доступность: 314 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDT2955
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
130.43 
Доступность: 3881 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT452AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
182.61 
Доступность: 3933 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTA4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
36.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

0.0
NTD20P06LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
162.85 
Доступность: 855 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD25P03LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
189.72 
Доступность: 974 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

0.0
NTDV20P06LT4G-VF01
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTE2371
Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
1 421.34 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2371, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт; TO220" 1.

0.0
NTE2373
Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
1 348.62 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2373, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт; TO220" 1.

0.0
NTE2905
Вид каналаобогащенный КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
730.43 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2905, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт; TO247" 1.

0.0
NTE2919
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO220F МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 065.61 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2919, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F" 1.

0.0
NTE326
Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток40В Обозначение производителяNTE326
694.07 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE326, Транзистор: P-JFET; полевой; 0,31Вт; TO92; 10мА" 1.

0.0
NTE4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
18.18 
Доступность: 5620 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

0.0
NTF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.91 
Доступность: 423 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTGS3136PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3433T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3441T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
97.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3443T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
93.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж