Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 39

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT5P10TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора27нC КорпусIPAK МонтажTHT
159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU17P06TU, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC КорпусIPAK МонтажTHT
168.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU5P20TU, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,34А; Idm: -14,8А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,19мкC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора65нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора135нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
477.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80P04P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD042P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; Idm: -280А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
176.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P03P4L11ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
227.06 
Доступность: 2356 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90P03P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -90А; Idm: -360А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,12мкC КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
309.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF4905LPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -74А; 200Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220AB МонтажTHT
326.45 
Доступность: 1393 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF4905PBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
602.45 
Доступность: 4249 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF4905STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-55В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF4905STRRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; Idm: -280А; 170Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220AB МонтажTHT
375.38 
Доступность: 1562 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5210PBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-100В
588.69 
Доступность: 1088 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5210STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж