Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.40

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
NTDV20P06LT4G-VF01
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTE2371
Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
1 421.34 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2371, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт; TO220" 1.

0.0
NTE2373
Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
1 348.62 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2373, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт; TO220" 1.

0.0
NTE2905
Вид каналаобогащенный КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
730.43 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2905, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт; TO247" 1.

0.0
NTE2919
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO220F МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 065.61 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE2919, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F" 1.

0.0
NTE326
Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток40В Обозначение производителяNTE326
694.07 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE326, Транзистор: P-JFET; полевой; 0,31Вт; TO92; 10мА" 1.

0.0
NTE4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
18.18 
Доступность: 5620 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

0.0
NTF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.91 
Доступность: 423 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTGS3136PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3433T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3441T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
97.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3443T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
93.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3455T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS4111PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
65.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTHD3101FT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD
152.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
69.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
48.22 
Доступность: 160 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
33.99 
Доступность: 2595 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

0.0
NTMS10P02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
118.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
NTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.60 
Доступность: 988 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж