Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.46

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
PMV74EPER
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPMV74EPER Полярностьполевой
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "PMV74EPER, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
PMZ350UPEYL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусDFN1006-3, SOT883
45.06 
Доступность: 8294 шт.
+

Минимальное количество для товара "PMZ350UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А" 1.

0.0
QS5U21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
67.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U23TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
71.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U26TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U27TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
156.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U28TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусTSOT25
112.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

0.0
QS5U33TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусTSOT25
108.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

0.0
QS6U22TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS6U24TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
90.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

0.0
RAF040P01TCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусTUMT3
101.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAF040P01TCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RAL035P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTUMT6
109.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
RAQ045P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусTSMT6
92.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RD3G01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
179.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

0.0
RD3G03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
252.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

0.0
RD3H045SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
184.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт" 1.

0.0
RD3H160SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
269.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 1.

0.0
RD3L01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
190.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт" 1.

0.0
RD3L03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
236.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

0.0
RD3L140SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
262.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж