Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 68

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
525.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
517.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
767.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
678.14 
Доступность: 1339 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
550.15 
Доступность: 1229 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
801.65 
Доступность: 215 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
532.19 
Доступность: 1600 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
675.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусTO263 МонтажSMD
528.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
518.71 
Доступность: 561 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO220AB МонтажTHT
403.44 
Доступность: 275 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUP53P06-20-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -46,8А; 66,7Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,19мкC КорпусTO220AB МонтажTHT
491.02 
Доступность: 221 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUP70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусTO220AB МонтажTHT
783.68 
Доступность: 114 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUP90P06-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -67А; 250Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC КорпусDPAK
141.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
273.20 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.17 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
77.84 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.34 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж