Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 71

Фильтры товаров
Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRZM002P02T2L КорпусSOT723
37.41 
Доступность: 806 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

Код производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
35.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSFP9530 КорпусTO220-3 МонтажTHT
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFP9530, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -7,5А; 66Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFT1342-TL-W КорпусDPAK МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFT1342-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 15Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC Код производителяSI1013CX-T1-GE3 КорпусSC89
66.33 
Доступность: 3095 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1013R-T1-GE3
74.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1013X-T1-GE3 КорпусSC89
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSI1021R-T1-GE3
110.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSI1025X-T1-GE3
113.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1031R-T1-GE3
107.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC Код производителяSI1077X-T1-GE3 КорпусSC89
107.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI1079X-T1-GE3 КорпусSC89
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1079X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -1,44А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSI1317DL-T1-BE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSI1317DL-T1-GE3 КорпусSC70
101.19 
Доступность: 2700 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI1401EDH-T1-GE3
118.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяSI1403BDL-T1-E3 КорпусSC70, SOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяSI1403BDL-T1-GE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI1403CDL-T1-GE3 КорпусSC70-6
51.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC Код производителяSI1411DH-T1-GE3 КорпусSC70-6
140.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI1427EDH-T1-GE3
81.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж