Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 92

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSQA413CEJW-T1_GE3 МонтажSMD
31.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC Код производителяSQD19P06-60L_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
372.45 
Доступность: 2376 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC Код производителяSQD40031EL_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
385.20 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC Код производителяSQD45P03-12_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
443.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSQD50P06-15L_GE3 КорпусDPAK, TO252
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P06-15L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -200А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC Код производителяSQD50P08-28_GE3 КорпусDPAK, TO252
613.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяSQJ409EP-T1_BE3 МонтажSMD
153.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSQJ431AEP-T1_BE3 МонтажSMD
188.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC Код производителяSQJ431EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
346.09 
Доступность: 522 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSQJ443EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
216.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSQJ457EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ457EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSQJ459EP-T1_BE3 МонтажSMD
147.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSQJ459EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSQJ461EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ461EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; Idm: -120А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSQJ463EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ463EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -30А; Idm: -120А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяSQJ465EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
218.54 
Доступность: 2748 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSQJ481EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
254.25 
Доступность: 1091 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC Код производителяSQM100P10-19L_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
737.24 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC Код производителяSQM120P06-07L_GE3 КорпусD2PAK, TO263
665.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC Код производителяSQS141ELNW-T1_GE3 МонтажSMD
102.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж