Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 89

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISA35DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
113.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSISH101DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
206.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSISH129DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC Код производителяSISH407DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
227.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC Код производителяSISH615ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
160.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяSISH617DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
239.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC Код производителяSISH625DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
176.02 
Доступность: 3266 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяSISS05DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
198.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC Код производителяSISS23DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
218.54 
Доступность: 3584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC Код производителяSISS27ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
237.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSISS27DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
179.42 
Доступность: 2941 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC Код производителяSISS61DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
265.31 
Доступность: 3838 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора236нC Код производителяSISS63DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
273.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC Код производителяSISS65DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
228.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC Код производителяSISS67DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
290.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISS71DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS71DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -23А; Idm: -40А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSISS73DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
316.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяSIUD401ED-T1-GE3 МонтажSMD
75.68 
Доступность: 6000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSIUD403ED-T1-GE3 МонтажSMD
34.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ175LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
79.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж