Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 94

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPowerFLAT МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
321.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL42P6LLF6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ II; полевой; -60В; -42А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL45P3LLH6 Полярностьполевой
181.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL45P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL4P3LLH6 Полярностьполевой
102.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL4P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL60P4LLF6 Полярностьполевой
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL60P4LLF6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL6P3LLH6 Полярностьполевой
192.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL6P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8P4LLF6 Полярностьполевой
193.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL8P4LLF6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD
105.50 
Доступность: 2671 шт.
 

Минимальное количество для товара "STN3P6F6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
84.10 
Доступность: 2939 шт.
 

Минимальное количество для товара "STR2P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; полевой; -30В; -1,2А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
138.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS5P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
200.31 
Доступность: 254 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD08P06-155L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8,2А; Idm: -18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
84.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD09P10-195-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
141.44 
Доступность: 1832 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD09P10-195-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А; 32,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,3А; Idm: -30А; 38,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
119.27 
Доступность: 1994 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,19А; 2,3Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -19А; Idm: -30А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
195.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40151EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -42А; Idm: -100А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора159нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
235.47 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-08-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
443.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
452.60 
Доступность: 2648 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
463.30 
Доступность: 1522 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж