Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 95

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
324.16 
Доступность: 1350 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
394.50 
Доступность: 918 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
420.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
480.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
640.67 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
574.92 
Доступность: 502 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
533.64 
Доступность: 1239 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
743.12 
Доступность: 401 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
385.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
626.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусTO263 МонтажSMD
489.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
547.40 
Доступность: 571 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO220AB МонтажTHT
288.99 
Доступность: 341 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUP53P06-20-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -46,8А; 66,7Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,19мкC КорпусTO220AB МонтажTHT
515.29 
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUP70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусTO220AB МонтажTHT
717.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUP90P06-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -67А; 250Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ15S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; 41Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC КорпусDPAK
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора47нC КорпусTO220FP МонтажTHT
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ9A10M3,S4Q, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -9А; 19Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
253.82 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж