Товары из категории транзисторы униполярные - страница 284

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
804.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI60R165CPAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
689.60 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI60R190C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
637.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI60R250CPAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
389.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI60R280C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
302.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI60R380C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,6А; 83Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 505.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R099C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
1 118.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R110CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
703.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R150CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
598.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R190C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
598.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R190CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
428.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R280C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
486.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R280E6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
428.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R310CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
489.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R380C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R420CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
279.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI65R600C6XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
388.38 
Доступность: 248 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI80N06S407AKSA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 58А; Idm: 320А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
154.43 
Доступность: 284 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI90R800C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
1 071.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора67нC КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 584.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж