Товары из категории транзисторы униполярные - страница 427

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора137нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 943.43 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC040SMA120B4, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ
9 134.56 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC040SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора137нC КорпусD3PAK МонтажSMD
4 238.53 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC040SMA120S, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора56нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 035.17 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC060SMA070B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора56нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 833.33 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC060SMA070B4, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора56нC КорпусD3PAK МонтажSMD
1 468.65 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC060SMA070S, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 26А; Idm: 93А; 130Вт; D3PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора64нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 758.41 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 91А; 200Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора64нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 782.87 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120B4, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
6 457.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 24А; SOT227B; винтами; 165Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора64нC КорпусD3PAK МонтажSMD
3 081.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120S, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора55нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
22 316.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC080SMA330B4, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 26А; Idm: 100А; 381Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 142.20 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC090SMA070B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 20А; Idm: 69А; 90Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора38нC КорпусD3PAK МонтажSMD
1 565.75 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC090SMA070S, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 18А; Idm: 65А; 91Вт; D3PAK" 1.

Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU2
18 843.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU3
18 843.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU2
32 660.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU3
32 660.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 749.24 
Доступность: 36 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC180SMA120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 127Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусD3PAK МонтажSMD
1 513.76 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC180SMA120S, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 409.79 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC360SMA120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж