Товары из категории транзисторы униполярные - страница 457

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
120.80 
Доступность: 1738 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6
185.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
177.37 
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
55.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
188.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
55.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
60.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8 МонтажSMD
141.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
346.33 
Доступность: 2326 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
375.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
255.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
133.03 
Доступность: 371 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
239.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
260.70 
Доступность: 788 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
142.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
35.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж