Товары из категории транзисторы униполярные - страница 462

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
41.28 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
87.92 
Доступность: 2685 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
41.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
42.05 
Доступность: 2760 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
135.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
55.05 
Доступность: 5968 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
71.87 
Доступность: 2845 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
55.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
71.10 
Доступность: 7648 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW4N06A-AU_R2_000A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 8А; 2,6Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW4N06A_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 8А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
94.04 
Доступность: 5666 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJW4P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
82.57 
Доступность: 830 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJW4P06A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT223 МонтажSMD
94.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW5P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; Idm: -20А; 1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
41.28 
Доступность: 3922 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002
75.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
48.93 
Доступность: 1647 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.52 
Доступность: 511 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMBF170,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусWLCSP4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMCM4401UNEZ, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 2,7А; Idm: 17А; WLCSP4" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж