Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSC057N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток30В
‍53‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC080N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍102‍ 
Доступность: 1692 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC080N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC084P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
‍70‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍69‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍58‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 91А; 48Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍163‍ 
Доступность: 4524 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0906NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍121‍ 
Доступность: 2399 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
‍143‍ 
Доступность: 403 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0925NDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍65‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

0.0
BSC093N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍122‍ 
Доступность: 3718 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC097N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍55‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍46‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍197‍ 
Доступность: 3618 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC110N06NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍52‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC120N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍101‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC120N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍61‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

0.0
BSC123N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍240‍ 
Доступность: 4962 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC150N03LDGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍123‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC190N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍272‍ 
Доступность: 1723 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSC265N10LSFGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍196‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC340N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍133‍ 
Доступность: 5361 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSD214SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
‍14‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 10.

0.0
BSD223PH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
‍59‍ 
Доступность: 1819 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
BSD235CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
‍70‍ 
Доступность: 2669 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)