Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSZ018NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
‍246‍ 
Доступность: 4971 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ018NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
‍304‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍217‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍228‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍180‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍77‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍262‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍198‍ 
Доступность: 1938 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ042N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍238‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0506NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍115‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍105‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ067N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍217‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ068N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍261‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ084N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍160‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ086P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
‍88‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ088N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ088N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0901NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍241‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
‍121‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ097N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍108‍ 
Доступность: 4919 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0994NS
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍159‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ100N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)