Товары из категории транзисторы униполярные - страница 512

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,87нC КорпусSOT23 МонтажSMD
207.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2404K-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 240В; 0,16А; 0,23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
252.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2425N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
249.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2435N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2501N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 18В; 0,25А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
146.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2504N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
245.41 
Доступность: 155 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2510N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
292.81 
Доступность: 180 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2524N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
221.71 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 175мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
252.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 1,8А; 1,6Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
420.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 3А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
363.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640LG-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 2А; 1,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
319.57 
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2640N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 220мА; Idm: 2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
137.61 
Доступность: 514 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5335K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
175.08 
Доступность: 897 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5335N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
279.05 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
166.67 
Доступность: 175 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж