Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 513

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт
0.0
TP0610K-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
79.51 ₽
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3
0.0
TP0610T-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
211.77 ₽
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92
0.0
TP0620N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
169.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92" 1000.

TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
0.0
TP2104K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
173.55 ₽
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
0.0
TP2104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
117.74 ₽
Доступность: 573 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
0.0
TP2104N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
122.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2502N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
252.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2510N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
230.12 ₽
Доступность: 835 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2520N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
255.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92
0.0
TP2535N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
87.16 ₽
Доступность: 317 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт
0.0
TP2540N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
259.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
0.0
TP2540N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
255.35 ₽
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8
0.0
TP2640LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
376.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92
0.0
TP2640N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
312.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3
0.0
TP5322K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.61 ₽
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3" 1.

TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP5322N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3
0.0
TP5335K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
139.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3" 1.

TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8
0.0
TPC8125
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусSOP8 МонтажSMD
188.07 ₽
Доступность: 1644 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8" 1.

TPCP8303,LF(CM, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; 1,48Вт; PS8; ESD
0.0
TPCP8303
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPS8
136.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPCP8303,LF(CM, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; 1,48Вт; PS8; ESD" 1.

TPH11006NL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17А; 34Вт; SOP8A
0.0
TPH11006NL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8A МонтажSMD
102.45 ₽
Доступность: 1547 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPH11006NL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17А; 34Вт; SOP8A" 5.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж