Товары из категории транзисторы униполярные - страница 559

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 557 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120N04TS
128.44 
Доступность: 81 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120P06TS
188.07 
Доступность: 352 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120P06TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
179.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
106.27 
Доступность: 575 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусTO263 МонтажSMD
188.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM14N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 85Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
133.03 
Доступность: 233 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
217.13 
Доступность: 490 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM15N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
198.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM15N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM161N15T2
539.76 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM161N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
218.65 
Доступность: 298 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM16N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM16N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM180N03TS
147.55 
Доступность: 69 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM180N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
329.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM18N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 8,6А; Idm: 43А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM190N03TS
131.50 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM190N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM20N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 15А; 86Вт; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж