Товары из категории транзисторы униполярные - страница 566

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
161.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
171.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
103.98 
Доступность: 2140 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO115N15HG4
183.49 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO119N12LG4
136.09 
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO119N12LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
72.63 
Доступность: 2044 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
134.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 650В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
109.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
127.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO120N04TS
127.68 
Доступность: 478 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
341.74 
Доступность: 1094 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO12P05T1
75.69 
Доступность: 445 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12P05T1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO12P06TS
96.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO12P06TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO13N10TS
90.98 
Доступность: 626 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO13N10TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
120.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO13N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 6А; Idm: 25А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
215.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO13N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж