Товары из категории транзисторы, стр.167

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IMH1AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
31.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH1AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH21T110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD
48.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH21T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 20В; 0,6А; 300мВт; SC74,SOT457" 3.

0.0
IMH23T110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD
52.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH23T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 20В; 0,6А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH2AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
48.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH2AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH4AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
16.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH4AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 3000.

0.0
IMH5AT108
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
28.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH5AT108, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 5.

0.0
IMH9AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
29.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH9AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMT18T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
65.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT18T110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 12В; 0,5А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMT1AT110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
41.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT1AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMW120R014M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
8 582.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт" 1.

0.0
IMW120R020M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 131.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

0.0
IMW120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 532.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R045M1XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
3 883.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 321.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 225.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 134.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 563.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

0.0
IMW120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 051.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

0.0
IMW65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
4 729.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

0.0
IMW65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 667.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

0.0
IMW65R072M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
2 204.80 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247" 1.

0.0
IMW65R107M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
1 723.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт; TO247" 1.

0.0
IMX1T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
37.60 
Доступность: 2524 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMX1T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMX25T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX25T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; 20В; 0,3А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMX3T108
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
28.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX3T108, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 5.

0.0
IMX8T108
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току180...820 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер120В
51.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX8T108, Транзистор: NPN x2; биполярный; 120В; 50мА; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMZ120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 470.40 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

0.0
IMZ120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 422.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт" 1.

0.0
IMZ120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 883.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт" 1.

0.0
IMZ120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 502.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт" 1.

0.0
IMZ120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

0.0
IMZ120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 225.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

0.0
IMZA120R020M1H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 131.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZA120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

0.0
IMZA65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
6 076.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZA65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 41А; Idm: 184А; 189Вт" 1.

0.0
IMZA65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 051.20 
Доступность: 220 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMZA65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

0.0
IMZA65R072M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
2 350.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZA65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт" 1.

0.0
IMZA65R107M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
2 372.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZA65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт" 1.

0.0
IPA028N04NM3SXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
272.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA028N04NM3SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 63А; Idm: 356А; 38Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA028N08N3G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO220FP МонтажTHT
804.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA028N08N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 62А; 42Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA029N06NM5SXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
395.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA029N06NM5SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 62А; Idm: 348А; 38Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж