Товары из категории транзисторы, стр.347

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IPD65R420CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
347.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
213.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
262.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
153.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
115.50 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
121.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R360P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
137.98 
Доступность: 1478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R900P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
44.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD78CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
127.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R1K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
218.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.98 
Доступность: 2448 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
151.16 
Доступность: 1462 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
146.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж