Товары из категории транзисторы - страница 415

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
283.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
354.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
329.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 204А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
391.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 218А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
293.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
293.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
280.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 104А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
314.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
282.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
345.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
221.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
385.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE802DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
415.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE808DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
345.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
345.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
533.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
447.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
335.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора50нC КорпусTO220FP МонтажTHT
815.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 73А; 35Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора42нC КорпусTO220FP МонтажTHT
282.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 31Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж