Товары из категории транзисторы - страница 418

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
894.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
564.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
631.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
807.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
808.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
613.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
762.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
717.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
839.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
716.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
754.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
802.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
767.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 043.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
933.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
740.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
450.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
729.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 110.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
737.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж