Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 408

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8
0.0
SI4925DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
234.89 ₽
Доступность: 1604 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А
0.0
SI4936CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
154.83 ₽
Доступность: 2715 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
274.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
303.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8
0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
236.40 ₽
Доступность: 1720 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
0.0
SI4963BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
231.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А
0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
104.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
93.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт
0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
82.33 ₽
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
86.10 ₽
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET
0.0
SI5935CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
129.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8
0.0
SI6926ADQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
254.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SI6926ADQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
113.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
284.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт
0.0
SI7113DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
274.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт
0.0
SI7115DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
433.53 ₽
Доступность: 1839 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт
0.0
SI7119DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
259.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт
0.0
SI7121ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
154.08 ₽
Доступность: 1860 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А
0.0
SI7145DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора413нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
478.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А" 1.

SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SI7149ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,1нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
203.17 ₽
Доступность: 2248 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж