Товары из категории транзисторы - страница 454

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
254.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
636.71 
Доступность: 752 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
692.60 
Доступность: 113 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
93.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
195.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
132.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
197.89 
Доступность: 1480 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
337.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
280.97 
Доступность: 2149 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
225.83 
Доступность: 2357 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
302.11 
Доступность: 979 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
94.41 
Доступность: 1344 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
385.20 
Доступность: 1151 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
310.42 
Доступность: 230 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP04N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; 63Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
429.00 
Доступность: 84 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 83Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.14 
Доступность: 236 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,6А; 83Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
476.59 
Доступность: 413 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 104Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
432.02 
Доступность: 83 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
420.69 
Доступность: 66 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 156Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
382.18 
Доступность: 146 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж