Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 459

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт
0.0
SQJ431EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
307.40 ₽
Доступность: 2490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ443EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
192.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А
0.0
SQJ459EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ465EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
194.11 ₽
Доступность: 2755 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ476EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
194.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ481EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
225.83 ₽
Доступность: 1192 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ486EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
274.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ858AEP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
224.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт
0.0
SQJ868EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
254.53 ₽
Доступность: 2890 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А
0.0
SQJA16EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
234.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А
0.0
SQJQ130EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
383.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А
0.0
SQJQ184E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
478.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
398.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
500.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM100N04-2M7-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
558.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM100P10-19L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
654.83 ₽
Доступность: 721 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM120N06-3M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
829.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM120N10-3M8-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора125нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
688.07 ₽
Доступность: 157 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж