Товары из категории транзисторы, стр.492

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
MMFTP5618-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
53.49 
Доступность: 2220 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP5618, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP6312D-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
44.96 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6312D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт" 1.

0.0
MMFTP6341KW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT363 МонтажSMD
25.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6341KW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363" 5.

0.0
MMFTP84-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
21.71 
Доступность: 1790 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
17.05 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
18.60 
Доступность: 2557 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMIX1F132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 213.95 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

0.0
MMIX1F160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 731.78 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

0.0
MMIX1F180N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 415.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

0.0
MMIX1F210N30P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 142.64 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт" 1.

0.0
MMIX1F230N20T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 415.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD" 1.

0.0
MMIX1F360N15T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 680.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD" 1.

0.0
MMIX1F40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 108.53 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт" 1.

0.0
MMIX1F420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 680.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт" 1.

0.0
MMIX1F44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 077.52 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт" 1.

0.0
MMIX1F520N075T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора545нC КорпусSMPD
3 677.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F520N075T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD" 1.

0.0
MMIX1T550N055T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 973.64 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1T550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

0.0
MMIX1T600N04T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 275.97 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

0.0
MMIX2F60N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD
5 883.72 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

0.0
MMSS8050-H-TP
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току200...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
20.93 
Доступность: 931 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMSS8050-H-TP, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 300мВт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж