Товары из категории транзисторы, стр.638

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR880DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR882ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
413.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

0.0
SIR882BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
144.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR882DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
234.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

0.0
SIRA00DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
342.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA01DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

0.0
SIRA02DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
203.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIRA04DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
230.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

0.0
SIRA06DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
151.16 
Доступность: 1975 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

0.0
SIRA10BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,2нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
161.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

0.0
SIRA10DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
137.98 
Доступность: 2741 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт" 1.

0.0
SIRA12BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
138.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт" 1.

0.0
SIRA12DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
104.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт" 1.

0.0
SIRA14BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
73.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт" 1.

0.0
SIRA14DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
124.03 
Доступность: 1904 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

0.0
SIRA18ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
76.74 
Доступность: 2777 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

0.0
SIRA18BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
83.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

0.0
SIRA18DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А" 1.

0.0
SIRA20BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора186нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
288.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

0.0
SIRA20DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
249.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж